高解析度驅動IC市場旺 力旺IP布局55奈米高壓製程

作者: 鉅亨網記者蔡宗憲 台北 | 鉅亨網 – 2014年2月26日 上午10:05

嵌入式非揮發性記憶體廠力旺(3529-TW)宣佈,NeoBit單次可程式記憶體(One Time Programmable embedded non-volatile memory,OTP)矽智財成功拓展Full-HD小尺寸顯示器驅動晶片(SDDI)應用,在已佈局之0.18um、0.13um、80nm高壓製程平台外,進一步拓展至12吋55nm高壓先進製程,提供成熟量產解決方案。

力旺表示,此先進製程能將晶片面積微小化,可以更小尺寸的靜態隨機存取記憶體(SRAM)實現Full-HD畫質,同時提供具備低耗電的儲存單元,為高解析度小尺寸顯示器驅動晶片客戶,依不同產品定位提供低耗電與輕巧體積之Full-HD畫質面板顯示方案。

此外,力旺指出,55nm高壓先進製程更可做為超高畫質(Ultra HD,UHD)甚至超高解析度(Wide Quad HD,WQHD)顯示器SDDI之生產平台,協助驅動晶片客戶搶攻下一世代高階顯示器應用商機。

近年來手機、平板應用程式朝向多元化與娛樂化演進,促使主流產品市場更加注重高解析度的螢幕畫面、更長的電池壽命、與更輕薄的設計,這些市場趨勢,引領行動通訊裝置之解析度主流規格從WVGA/HD720推升至Full-HD高畫質,甚至朝向UHD、WQHD演進,也使得強調具備高畫質解析度、更小之晶片體積、以及省電低功耗設計等主流產品需求之規格,已成現階段驅動晶片發展的必然趨勢。

力旺指出,目前80nm、90nm高壓製程生產之驅動晶片,受限SRAM存取速度及功耗問題,耗電較高,效能較不理想,難滿足Full-HD SDDI對高容量SRAM的需求,然而當顯示器朝向越高解析度演進,驅動晶片必然需內含更多高容量之SRAM, 55nm高壓先進製程具備低耗電SRAM儲存單元,可進一步微縮SRAM之尺寸,適合採用做為Full-HD小尺寸顯示器驅動晶片之生產平台。

力旺強調,已領先在12吋晶圓55nm先進高壓製程佈局,為Full-HD SDDI應用客戶提供已臻成熟良率的解決方案,搭配力旺NeoBit OTP矽智財,使晶片客戶得以利用參數設定的方式,協助調校顯示驅動晶片的畫面色彩,提高影像銳利度,使畫質更清晰。

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