旺宏盧志遠投身前瞻記憶體研發 獲頒總統科學獎

作者: 鉅亨網記者黃佩珊 台北 | 鉅亨網 – 2013年12月6日 上午9:12

旺宏總經理盧志遠獲得總統馬英九親頒國家最高榮譽科學研究獎項─總統科學獎。(圖:旺宏提供)旺宏總經理盧志遠(右)獲得總統馬英九親頒國家最高榮譽科學研究獎項─總統科學獎。(圖:旺宏提供)

旺宏(2337-TW)總經理盧志遠獲得總統馬英九親頒國家最高榮譽科學研究獎項─總統科學獎,成為首位獲此殊榮的產業界翹楚。旺宏指出,盧志遠投身前瞻記憶體研發,對國內半導體產業具有卓越貢獻,在國際學術界也備受推崇,為學術研究與產業發展均有優異表現的跨界人才。

總統科學獎的設立,是為提升台灣在國際學術界之地位,尤以對台灣社會具有重大貢獻之基礎學術研究人才為優先獎勵對象,每2年頒發一次。2013年總統科學獎共有3位得獎人獲得此項殊榮,其中盧志遠為應用科學組得主,其他兩位分別為數理科學組彭旭明及生命科學組賴明,彭旭明及賴明詔皆為中央研究院院士。

盧志遠於1977年取得美國哥倫比亞大學物理學博士,他曾領導研發美國AT&T貝爾實驗室0.6微米CMOS第六代Twin-tub製程技術,為1980年代末期最先進之CMOS技術,促成CMOS半導體產業蓬勃發展,之後他帶領工研院團隊執行台灣最大科專計畫─次微米計畫,不但讓台灣具備八吋晶圓產製能力,更成功將台灣推向世界高科技舞台。次微米計畫後衍生成立世界先進公司,成為催化台灣記憶體產業的重要推手。

1999年,盧志遠加入旺宏電子,投身非揮發性記憶體前瞻技術研發,帶領旺宏研發團隊持續發表多項次世代記憶體先驅技術如BE-SONOS,解決快閃記憶體在尺寸微小化後面臨資料相互干擾及無法長久保存之困境,近期更推動3D垂直閘極快閃記憶體先進技術,使半導體記憶器可持續微縮至10奈米以下。而他創辦的欣銓科技,證實晶圓級測試為可行的商業模式,更成為尖端半導體生產過程中不可或缺的一環,也獲得美國哈佛大學商學院(HBS)納為推廣教案。

盧志遠浸淫半導體界超過30年,積極鑽研電子元件及材料科技,發表超過400多篇學術及技術論文,更擁有150餘項國際專利。他曾擔任美國IEEE Transactions on Electron Devices 學刊編輯人逾15年,對於半導體的學理與實務多所啟發,更致力推動科普教育,擔任台灣首份科普雜誌「科學月刊」社長多年,並熱心支持各項技術與學術研討活動,促進國際產業交流發展。透過旺宏教育基金會舉辦的「旺宏金矽獎」及「旺宏科學獎」,協助上萬名國內師生啟發科學創意,戮力培育科技人才。

由於對半導體界的貢獻良多,盧志遠博士獲得許多國內外獎項,包括潘文淵研究傑出獎、中華民國科技管理學會院士、美國物理學會APS Fellow、IEEE Fellow,並獲頒素有科技研發工程師界奧斯卡獎之稱的IEEE Frederik Philips Award。今年,盧志遠也因長期投身於科技創新及學術研究的傑出貢獻而獲頒國立交通大學名譽博士及工研院院士等榮銜。此外,盧志遠博士多年在台灣半導體產業協會(Taiwan Semiconductor Industry Association, TSIA)、全球半導體聯盟(Global Semiconductor Alliance, GSA)等產業團體中服務,對半導體產業深具影響力。

……..文章來源:按這裡