IC製造里程碑 國研院發表「多重鰭高電晶體」

作者: 李憶璇 | 中央廣播電台 – 2013年12月3日 上午11:44

全球半導體積體電路(IC)競賽進入白熱化階段,國際大廠近年推出彎曲式的「鰭式場效電晶體」,以節省晶片面積、降低成本。國研院技高一籌,今天(3日)發表「多重鰭高鰭式場效電晶體」製程技術,突破現有單一高度的元件結構製程,首度做出不同高度的電晶體。

積體電路(IC)是半導體產業中一場尺寸微縮與效能提升的競賽,如何在更小的元件上做更多晶片,是產業努力的目標。過去電晶體是以「平面式」的元件結構排列,近期演變成像鯊魚鰭般的「立體式」結構,節省空間及成本。

國際大廠英特爾(Intel)才在2012年推出同一高度的立體「單一鰭高電晶體」,三星及IBM也預計在14奈米的微處理器上走向立體式結構,而國研院做到了不同高度的製程突破,完成「多重鰭高電晶體」。

這是在半導體領域第一個不同高度的電晶體製程突破,國研院表示,未來5年,半導體製程將從傳統的平面式結構轉為立體,目前申請專利中,希望技轉給廠商。國研院製程服務組組長陳旻政說:『(原音)我們是利用特殊的製程,在微影技術上,還有精準控制鰭高,相對在製程參數上要許多彈性的改變才有辦法達到。目前市面上像Intel、IBM發表的都是單一鰭高,那我們是第一個製造出多重鰭高電晶體的結果。』

國研院也從本月起,將製作平台開放給國內學術界研發各種元件雛型與製程技術,讓學術前瞻研究與產業接軌,提升產業競爭力。

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